Table of Contents
Vorwort
Einleitung
1Anwendungsbereich
2ExpositiongegenberelektrischenFeldern
3AllgemeinesVerfahren
3.1Formfaktor
3.2Verfahren
4ModelledesmenschlichenKrpers
4.1Allgemeines
4.2Oberflchenbereich
4.3HalbelliptischesrumlichesModell(halbesSphroid)
4.4AchsensymmetrischesKrpermodell
5BerechnungvoninduziertenStrmen
5.1Allgemeines
5.2HalbelliptischesrumlichesModell(halbesSphroid)
5.3AchsensymmetrischeModelle
5.4VergleichderanalytischenundnumerischenModelle
6EinflussvonelektrischenGrssen
6.1Allgemeines
6.2EinflussderPermittivitt
6.3EinflussderLeitfhigkeit
6.4InhomogeneLeitfhigkeit
7MessungenderdurchelektrischeFelderinduzierten
Strme
7.1Allgemeines
7.2IndenBodenfliessenderStrom
AnhangA(normativ)AnalytischeLsungfreinSphroid
ineinemhomogenenelektrischenFeld
AnhangB(normativ)AchsensymmetrischesModelldes
menschlichenKrpers
B.1Allgemeines
B.2EntwicklungvonachsensymmetrischenModellen
B.3AnwendungdesachsensymmetrischenModells
AnhangC(informativ)ModellfrKinderkrper
C.1Referenzkind-Modell
C.2Ergebnisse
AnhangD(informativ)BeispielfrdieVerwendungdieser
Norm
D.1AllgemeinesFlussdiagramm
D.2BeispielfreineEinzelperson
AnhangE(informativ)NumerischeBerechnungsverfahren
E.1Allgemeines
E.2Sphroid-Modell[46]
E.3Raumpotential-Verfahren[22]
E.4VerfahrendersimuliertenLadungen[14],[1],[55],
[59],[40]
E.5VerfahrenderIntegrationderOberflchenladungen
[9],[5],[10]
E.6Finite-Elemente-Methode[10],[12],[13],[26]
E.7Impedanzverfahren[11]
E.8Hybridverfahren[50]
E.9FDTD[58],[53],[54]
Literaturhinweise
Bilder
Tabellen
